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该N沟道碳化硅MOSFET具备165A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，可在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、大电流条件下仍保持优异的开关速度与低损耗特性，适用于高功率密度电源系统、可再生能源转换设备以及对效率和热性能要求严苛的电力电子应用。