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该N沟道碳化硅MOSFET具有189A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为750V，导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关性能，适用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对热管理与空间布局要求严苛的电力电子应用。
