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该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，可在高电压、大电流环境下实现稳定运行，同时其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路设计。