-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高功率密度电源、可再生能源逆变系统及对能效和热管理要求较高的电力电子设备。