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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍能保持较低的导通损耗和良好的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统，可有效提升整体能效与功率密度。