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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与优异的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合，如数据中心供电、光伏逆变系统及高可靠性电能管理设备。