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该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。其结构利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，如通信电源、可再生能源并网设备及高密度电力电子模块。