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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其稳定的电气性能支持在紧凑型电力电子设备中实现高效能量管理与热优化设计。