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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达24A，导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对体积与能效有较高要求的应用场合。