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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）和75mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、光伏逆变、储能系统及服务器电源等场景，其宽栅压范围提升了驱动兼容性与运行可靠性。