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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。适用于需要高效率、高功率密度及紧凑结构的电源转换系统，在对电气性能和长期运行可靠性有较高要求的场合中可发挥优势。