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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性，在高频开关应用中可有效降低整体功率损耗。