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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积紧凑性和热管理有明确要求的电力电子设备。