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该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算电源管理等场景中可有效提升系统能效与功率密度。器件结构支持快速开关动作，有助于减小无源元件体积并优化整体布局。