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该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和58mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换场合，可在紧凑型设计中实现优异的电气性能与可靠性。