-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变系统、不间断电源以及通信设备中的功率管理模块，能够在紧凑布局中实现可靠的性能表现。