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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为9A，导通电阻（RDS(on)）典型值为320mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。