-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能与开关效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体效率，并简化散热设计。