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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备快速开关能力与较低的导通损耗，适用于高效率、高频率的电源转换场合。其结构支持在高温或高电场环境下稳定运行，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。