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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）和75mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，并支持在严苛电气环境下的稳定运行。
