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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为38A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为95mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，适用于多种驱动电路配置，有助于增强开关稳定性并抑制误导通。凭借碳化硅材料的固有优势，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热性能，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度有较高要求的电力电子应用。