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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关性能，在高频运行条件下仍能保持较低的温升。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备，能够有效支持对能效和热管理有较高要求的应用场景。