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该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其电气参数组合使其在高电压、中等电流的应用中具备良好的动态响应与可靠性。