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该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料优势，在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、服务器电源及可再生能源相关设备，能够在紧凑布局下维持稳定的电气特性。