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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为36A，最大漏源电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关操作中表现出较低的损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。