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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗。适用于对效率和热管理要求较高的电源系统，如数据中心供电、可再生能源转换装置及高密度开关电源等场合。