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该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，在高频开关操作中保持较低损耗和良好热稳定性。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC变换器等场合。