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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、可再生能源并网设备以及高密度电力电子模块中，能够支持紧凑型电路设计与长期稳定运行。