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该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其采用碳化硅半导体结构，在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗，并具有良好的热导性能。适用于高效率电源、光伏逆变器、服务器供电系统及对功率密度和能效有明确要求的电力电子应用场合。