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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。