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该N沟道碳化硅MOSFET具有34A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的应用场景，如数据中心电源、光伏逆变系统以及高频率AC-DC或DC-DC转换器等。