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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下可显著降低导通与开关损耗。适用于高效率电源、可再生能源逆变系统及对功率密度和热管理要求较高的电力电子应用，其宽栅压范围也便于适配多种驱动电路设计。