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该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频DC-DC变换器等场合。