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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为18A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高效率应用场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换系统。其低导通电阻有助于降低传导损耗，提升整体运行效率。