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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，器件在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。