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该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率管理环节，能够在严苛电气环境中维持稳定运行。