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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为30A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗和优异的高频开关特性。适用于对效率、功率密度和热性能有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场合，在高开关频率下仍能保持稳定可靠的运行表现。