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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景。其电气参数组合使其能够在高电压、大电流条件下维持可靠运行，同时支持较宽的驱动电压窗口，便于与多种控制电路兼容。