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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用，有助于提升整体能效并简化热管理设计。