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该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高电压、高频开关场景中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，可有效提升整体能效与功率密度。