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该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和75mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、服务器电源、通信设备供电系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子场合。