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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）典型值为95mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于高效率、高频开关场景。器件凭借碳化硅材料特性，在高温与高压环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对能效和功率密度要求较高的电源转换系统中。