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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具有良好的热稳定性和抗干扰能力。其低导通电阻有助于提升系统整体效率，适用于高功率密度的电源转换及高频逆变等场合，能够满足对能效和可靠性要求较高的电子系统需求。