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该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至58mΩ，可在栅源电压-10V至@5V范围内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统。其电气参数适合用于高可靠性、紧凑型的电力转换设备中，能够有效支持高负载条件下的稳定工作。