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该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场景，如服务器供电、通信电源、光伏逆变器及高密度电力电子模块，在提升系统效率的同时支持紧凑型设计。