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该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换系统。其电气参数组合使其能够在紧凑型设计中实现可靠的性能表现。