-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为58mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺,在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于对效率、功率密度及动态响应有较高要求的电源转换系统,可在高负载条件下维持稳定运行。