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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，在高效率电源转换系统中可有效降低能耗并简化散热设计。适用于对功率密度和运行稳定性有较高要求的电力电子应用场合。