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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、服务器电源、光伏逆变系统及对功率密度有较高要求的电力电子设备。