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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等场景。